Samsung lansează primul dispozitiv de stocare flash de 1TB din industrie

După doar patru ani de la introducerea primei soluții UFS, eUFS de 128 gigabyte (GB), Samsung a trecut pragul de 1 terabyte, mult așteptat când vine vorba de memoria de stocare. Utilizatorii vor putea în curând să se bucure de o capacitate de stocare comparabilă cu cea a unui notebook premium, fără să aibă nevoie de carduri de memorie suplimentare.

„Modelul 1TB eUFS va juca un rol esențial în a aduce experiența de utilizare de pe notebook-uri la următoarea generație de dispozitive mobile. În plus, Samsung se angajează să asigure un lanț de aprovizionare fiabil și producție suficientă pentru a suporta lansarea în timp util a smartphone-urilor viitoare în așa fel încât să susținem o creștere accelerată pe piața mobilă globală”, a declarat Cheol Choi, vice-președinte executiv al Memory Sales & Marketing Samsung.

În aceeași dimensiune a ambalajului (11,5mm x 13,0mm), soluția 1TB eUFS dublează capacitatea versiunii anterioare de 512GB prin combinarea a 16 straturi ale celei mai avansate memorii flash Samsung V1200N (Gb) V-NAND de 512gigabiți și un controler nou dezvoltat. Utilizatorii de smartphone-uri vor putea acum să stocheze 260 de clipuri video de 10 minute în format 4K UHD (3840×2160), în timp ce 64GB eUFS, care se găsește pe multe smartphone-uri de ultimă generație, este capabil să stocheze doar 13 videoclipuri de aceeași dimensiune.

Dispozitivul 1TB eUFS dispune, de asemenea, de o viteză excepțională, permițând utilizatorilor să transfere volum mare de conținut multimedia într-un timp redus semnificativ. Cu până la 1.000 megabiți pe secundă (MB/s), noul dispozitiv eUFS oferă o viteză de citire secvențială de aproximativ de două ori mai mare decât cea a unei unități SSD tipice de 2,5 inci SATA. Acest lucru înseamnă că 5 GB de conținut video full HD pot fi descărcate pe un SSD NVMe în cel mult cinci secunde, adică de 10 ori viteza unei card obișnuit microSD.

În plus, viteza de citire aleatorie a crescut cu până la 38% față de versiunea de 512GB, ajungând până la 58.000 IOPS. Viteza de scriere este de 500 de ori mai rapidă decât cea a unui card microSD de înaltă performanță (100 IOPS), care poate ajunge până la 50.000 IOPS. Vitezele aleatorii permit fotografierea continuă la 960 de cadre pe secundă, astfel că utilizatorii de smartphone-uri vor profita din plin de caracteristicile camerei de pe flagship-urile de astăzi și de mâine.

Samsung intenționează să extindă producția celei de-a cincea generații de 512Gb V-NAND la uzina din Pyeongtaek din Coreea, în prima jumătate a anului 2019, pentru a răspunde cererilor tot mai mari pentru unitatea de 1TB eUFS pe care le primește de la producătorii de dispozitive mobile din întreaga lume.